АРЗИКУЛОВ ЭШКУВАТ УЛАШЕВИЧ
Арзикулов Эшкуват Улашевич
Профессор | Доктор физико-математических наук, профессор
Физика энергетических ресурсов, Основы нанотехнологий, Технологии получения солнечных элементов, Приоритеты создания современных солнечных элементов, Оптика и метрология солнечных элементов, Проектирование солнечных электростанций, Аналоговые и цифровые компоненты, Физика твердого тела, Физика полупроводниковых приборов, Введение в электронику
1979-1980 гг. - Работник колхоза Ачил Кадыров Кошработского района
1980-1985 гг. - Студент Самаркандского государственного университета
1985-1987 гг. - Старший лаборант Ташкентского политехнического института
1987-1988 гг. - Стажер-исследователь Ташкентского политехнического института
1988-1991 гг. - Аспирант Ташкентского государственного технического университета
1992-1992 гг. - Инженер Самаркандского государственного университета
1992-1995 гг. - Ассистент, доцент кафедры физики твердого тела Самаркандского государственного университета
1995-1997 гг. - Заместитель декана физического факультета Самаркандского государственного университета
1997-2010 гг. - Заведующий кафедрой физики твердого тела Самаркандского государственного университета
2010-2013 гг. - Доцент кафедры физики твердого тела Самаркандского государственного университета
2013-2014 гг. - Исполняющий обязанности заведующего кафедрой физики твердого тела Самаркандского государственного университета
2014-2020 гг. - Заведующий кафедрой физики твердого тела Самаркандского государственного университета
2021 г. - по настоящее время - Профессор кафедры физики твердого тела Самаркандского государственного университета
В последнее время резко возрос интерес к наноразмерным структурам металл-полупроводник-диэлектрик (MYAD) или металл-оксид-диэлектрик (MOS). Благодаря этому на основе таких структур стало возможным создание высокочувствительных датчиков внешнего воздействия (сенсоров), детекторов мощности для атомно-силовых микроскопов, фотодетекторов, солнечных элементов и т.д. На основе таких устройств можно будет создать совершенно новое поколение наноэлектронных устройств. Практически такие устройства могут быть использованы в качестве активных элементов современной микро- и наноэлектроники. Следует отметить, что технология получения структур может быть интегрирована в технологию получения кремниевых микрочипов, что делает их более доступными и привлекательными.
"1. Arzikulov, E.U., Nurimov, A.D., Salakhitdinov, F.A., ... Khujanov, A.Sh., Usanov, R.M. LATERAL PHOTOELECTRIC EFFECT IN IRON-SILICON DIOXIDE-COMPENSATED SILICON HYBRID STRUCTURES. East European Journal of Physics, 2023, 2023(4), pp. 159–166
2. Arzikulov, E.U., Radzhabova, M., Quvondiqov, S.J., Gulyamov, G. MECHANISMS OF CURRENT TRANSITION IN HIGH COMPENSATED SILICON SAMPLES WITH ZINC NANOCLUSTERS. East European Journal of Physics, 2023, 2023(3), pp. 400–405
3. Arzikulov, E.U., Salakhitdinov, F.A., Kholmurodov, F., Tashboev, M.D. Investigations of the formation of nanosized objects in manganese implanted silicon single crystals by the methods of Raman scattering of light and atomic force microscopy. Journal of Physics: Conference Series, 2023, 2573(1), 012015
4. Arzikulov, E.U., Nurimov, A.D., Axrorov, S.Q., Mamatqulov, N. A study of surface morphology of Fe/p-Si hybrid structure using atom force microscope. Journal of Physics: Conference Series, 2023, 2573(1), 012016
5. Arzikulov, E.U., Xasanov, X., Eshmamatov, S.K., ... Quvondiqov, Sh.J., Bobonov, D.T. Heat Conductivity of the Material Obtained by Melting Steel on the Flame Supersonic Jet of Mix of Air-Propane. Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 2022, 44(8), pp. 1003–1012"