ARZIQULOV ESHQUVAT ULASHEVICH
Arziqulov Eshquvat Ulashevich
Professor | Fizika-matematika fanlari doktori, professor
Energetik resurslar fizikasi, Nanotexnologiya asoslari, Quyosh elementlarini olish texnоlogiyalari, Zamonaviy quyosh elementlarini yaratishdagi ustuvor yo'nalishlari, Quyosh elementlari optikasi va metrologiyasi, Quyosh elektr stansiyalarini loyihalash, Analogli va raqamli komponentalar, Qattiq jismlar fizikasi, Yarim o’tkazgichli asboblar fizikasi, Elektronikaga kirish
"1979-1980 yy. - Qoʻshrabot tumani Ochil Qodirov jamoa xoʻjaligi ishchisi
1980-1985 yy. - Samarqand davlat universiteti talabasi
1985-1987 yy. - Toshkent politexnika instituti katta laboranti
1987-1988 yy. - Toshkent politexnika instituti stajyor-tadqiqodchisi
1988-1991 yy. - Toshkent davlat texnika universiteti aspiranti
1992-1992 yy. - Samarqand davlat universiteti injeneri
1992-1995 yy. - Samarqand davlat universiteti qattiq jismlar fizikasi kafedrasi assistenti, dosenti
1995-1997 yy. - Samarqand davlat universiteti fizika fakulteti dekani oʻrinbosari
1997-2010 yy. - Samarqand davlat universiteti qattiq jismlar fizikasi kafedrasi mudiri
2010-2013 yy. - Samarqand davlat universiteti qattiq jismlar fizikasi kafedrasi dosenti
2013-2014 yy. - Samarqand davlat universiteti qattiq jismlar fizikasi kafedrasi mudiri vazifasini bajaruvchi
2014-2020 yy. - Samarqand davlat universiteti qattiq jismlar fizikasi kafedrasi mudiri
2021 - h.v. - Samarqand davlat universiteti qattiq jismlar fizikasi kafedrasi professori v.b."
Keyingi paytlarda nanoo‘lchamlardagi metall-yarimo‘tkazgich-dielektrik (MYAD) yoki metall-oksid-dielektrik (MOS) strukturalarga bo‘lgan qiziqish keskin oshib ketmoqda. Bunga sabab bunday strukturalar asosida o‘ta sezgir tashqi ta’sir datchiklari (sensorlari), atom-kuchi-mikroskoplari uchun kuchni aniqlovchi qurilmalar, fotodetektorlar, quyosh elementlari va h.k.larni yaratish imkoniyati paydo bo‘ldi. Bunday qurilmalar asosida tamoyil jihatidan butulay yangi bo‘lgan nanoelektron asboblar avlodini yaratish mumkin bo‘ladi. Amaliy jihatdan bunday qurilmalar zamonaviy mikro va nanoelektronikaning faol elementlari sifatida qo‘llanilishi mumkin. Shuni takidlash lozimki bunda strukturalarni olish texnologiyasi kremniyli mikrochiplar olish texnologiyasiga integratsiya qilinishi mumkin va bu ularni yanada arzon va jozibador qiladi.
"1. Arzikulov, E.U., Nurimov, A.D., Salakhitdinov, F.A., ... Khujanov, A.Sh., Usanov, R.M. LATERAL PHOTOELECTRIC EFFECT IN IRON-SILICON DIOXIDE-COMPENSATED SILICON HYBRID STRUCTURES. East European Journal of Physics, 2023, 2023(4), pp. 159–166
2. Arzikulov, E.U., Radzhabova, M., Quvondiqov, S.J., Gulyamov, G. MECHANISMS OF CURRENT TRANSITION IN HIGH COMPENSATED SILICON SAMPLES WITH ZINC NANOCLUSTERS. East European Journal of Physics, 2023, 2023(3), pp. 400–405
3. Arzikulov, E.U., Salakhitdinov, F.A., Kholmurodov, F., Tashboev, M.D. Investigations of the formation of nanosized objects in manganese implanted silicon single crystals by the methods of Raman scattering of light and atomic force microscopy. Journal of Physics: Conference Series, 2023, 2573(1), 012015
4. Arzikulov, E.U., Nurimov, A.D., Axrorov, S.Q., Mamatqulov, N. A study of surface morphology of Fe/p-Si hybrid structure using atom force microscope. Journal of Physics: Conference Series, 2023, 2573(1), 012016
5. Arzikulov, E.U., Xasanov, X., Eshmamatov, S.K., ... Quvondiqov, Sh.J., Bobonov, D.T. Heat Conductivity of the Material Obtained by Melting Steel on the Flame Supersonic Jet of Mix of Air-Propane. Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 2022, 44(8), pp. 1003–1012"